1.靜態(tài)分析要求一次離子束流要有較低的密度，因此，常常選用較大尺寸的束斑以便使得一定的靈敏度得以保持。面分布及深度剖面分析要求束斑直徑小且可進行掃描,也應當相應地提高束流密度。初次意外，進行表面清潔處理也要求束流密度比較高。因此對次束流大小及束流密度的調節(jié)范圍應當比較寬，并且選用的離子槍類型常常不同，并且對不同種類的一次離進行選用。

　　

　　2.離子流檢測系統(tǒng)檢測靈敏度、動態(tài)范圍和響應速度應當盡可能高，并且相應的數據采集、處理和顯示系統(tǒng)也應該有。

　　

　　3.還需帶有中和作用的電子槍以便對絕緣樣品進行分析。還常需有二次電子成像系統(tǒng)以便對表面形貌進行觀察。

　　

　　4.SIMS，尤其是靜態(tài)SIMS，在超高真空下工作為基本要求。因為在樣品表面上注氧能夠使二次離子產額提高和穩(wěn)定，而且能夠使濺射產額降低，所以注氧裝置常常被要求攜帶。

　　

　　5.要求可以在超高真空下機械調節(jié)樣品的位置，并且相應的送樣、取樣裝置也應當配備，樣品還應當進行加熱、冷卻、破碎和清潔處理等步驟。

　　

　　6.二次離子分析系統(tǒng)的總流通率要求盡可能高，適當的質量分析范圍和質量分辨率需要具備，將質量歧視效應克服并且分析速度盡可能快。還要求可以對質譜計前二次離子能量窗口的位置和寬度進行調節(jié)。